电源开关、负载开关、电池保护与 DC-DC 应用中，MOSFET 的导通电阻与封装散热直接决定系统效率。本文整理亿胜盈科在售的功率 MOSFET 型号。
低压 SGT/沟槽 MOSFET（30V-40V）
HJ015N03G（30V）与 HJ020N04G（40V）采用屏蔽栅极沟槽（SGT）技术，低栅极电荷、低反向转移电容、快速开关，适合电源开关与负载开关；FMB30H150SL（30V/150A，2.4mΩ）、FMB30H120SL（30V/123A，2.7mΩ）、FMB30H100SL（30V/109A，3.1mΩ）为富满微沟槽器件，100% 通过 UIS 测试，适合液晶电视、电动工具、感应加热。
中压大电流（100V）
HJ013N10TL 为 100V/330A 大电流 MOSFET，导通电阻仅 1.1mΩ，TOLL 封装散热好，适合电机控制、电池管理、DC/DC 转换器。
车规级功率开关
IRFH7004TRPBF 为英飞凌 40V DirectFET 封装 N 沟道 MOSFET，超低导通电阻适合高功率密度电源设计。
以上型号均有现货，支持样品申请，欢迎咨询。
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