HJ020N04G 40V N沟道SGT功率MOSFET

产品简介

HJ020N04G 是 40V N 沟道 SGT（屏蔽栅极沟槽）功率 MOSFET，采用先进的 SGT 技术，以低栅极充电提供出色的 RDS(ON)，具备优秀的封装与良好的散热。适用于负载开关和电池保护应用、电源开关应用。